řada: PowerTrenchMOSFET FDS6375 P-kanálový 8 A 20 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 166-2604Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: FDS6375
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Řada

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

24 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

4mm

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

26 nC při 4,5 V

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,35

Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

řada: PowerTrenchMOSFET FDS6375 P-kanálový 8 A 20 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

€ 0,35

Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

řada: PowerTrenchMOSFET FDS6375 P-kanálový 8 A 20 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Řada

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

24 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

4mm

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

26 nC při 4,5 V

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more