Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
12 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
130 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
15.8 x 5 x 20.1mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
12 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
130 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
15.8 x 5 x 20.1mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.