Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Počet prvků na čip
5
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Länge
10mm
Höhe
1.5mm
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Abmessungen
10 x 4 x 1.5mm
Maximální pracovní teplota
85 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
48
P.O.A.
48
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Počet prvků na čip
5
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Länge
10mm
Höhe
1.5mm
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Abmessungen
10 x 4 x 1.5mm
Maximální pracovní teplota
85 °C