Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
50 A
Kollektor-Emitter-
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-204
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
2
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
400
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
3.5 V
Länge
38.86mm
Höhe
8.51mm
Šířka
26.67mm
Maximální ztrátový výkon
300 W
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
38.86 x 26.67 x 8.51mm
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 9,744
Each (In a Tray of 100) (bez DPH)
100
€ 9,744
Each (In a Tray of 100) (bez DPH)
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
50 A
Kollektor-Emitter-
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-204
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
2
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
400
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
3.5 V
Länge
38.86mm
Höhe
8.51mm
Šířka
26.67mm
Maximální ztrátový výkon
300 W
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
38.86 x 26.67 x 8.51mm
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.