Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A dc
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
3 V dc
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.63mm
Höhe
16.12mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 14,73
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
1
€ 14,73
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A dc
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
3 V dc
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.63mm
Höhe
16.12mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of