Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Kollektor-Emitter-
140 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Minimální proudový zisk DC
60
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
160 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Podrobnosti o výrobku
Univerzální tranzistory NPN, až 1A, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
100
P.O.A.
Štandardný
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Kollektor-Emitter-
140 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Minimální proudový zisk DC
60
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
160 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Podrobnosti o výrobku
Univerzální tranzistory NPN, až 1A, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.