Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
140 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Minimální proudový zisk DC
60
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
160 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Univerzální tranzistory NPN, až 1A, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
100
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
140 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Minimální proudový zisk DC
60
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
160 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Univerzální tranzistory NPN, až 1A, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.