Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-1,2 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
-10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
20000
Maximální bázové napětí kolektoru
-30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-0.0001mA
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-1,2 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
-10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
20000
Maximální bázové napětí kolektoru
-30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-0.0001mA
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.