MOSFET NTHD4102PT1G P-kanálový 4,1 A 20 V, Čip FET, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 163-1110Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTHD4102PT1G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

Čip FET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

170 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

2.1 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

1.7mm

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7,6 nC při 4,5 V

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,311

Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

MOSFET NTHD4102PT1G P-kanálový 4,1 A 20 V, Čip FET, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

3000

Dostupné v násobkoch 3000
3000€ 934,15
6000€ 1 868,30
9000€ 2 802,45
12000€ 3 736,60
15000€ 4 670,74
18000€ 5 604,89
21000€ 6 539,04
24000€ 7 473,19
27000€ 8 407,34
30000€ 9 341,49
33000€ 10 275,64
36000€ 11 209,79
39000€ 12 143,94
42000€ 13 078,09
45000€ 14 012,24

€ 0,311

Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

MOSFET NTHD4102PT1G P-kanálový 4,1 A 20 V, Čip FET, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

3000

Dostupné v násobkoch 3000
3000€ 934,15
6000€ 1 868,30
9000€ 2 802,45
12000€ 3 736,60
15000€ 4 670,74
18000€ 5 604,89
21000€ 6 539,04
24000€ 7 473,19
27000€ 8 407,34
30000€ 9 341,49
33000€ 10 275,64
36000€ 11 209,79
39000€ 12 143,94
42000€ 13 078,09
45000€ 14 012,24

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

Čip FET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

170 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

2.1 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

1.7mm

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7,6 nC při 4,5 V

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more