Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
Čip FET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Šířka
1.7mm
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.1mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,6 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
Čip FET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Šířka
1.7mm
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.1mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,6 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku