Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Spínač zátěže N+P
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+8 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Breite
1.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální, N/P-Channel MOSFET, ON on Semiconductor
NTJD1155L je dvoukanálový MOSFET. Tento MOSFET, který je vybaven kanály P i N do jednoho balení, je oslnivý pro nízký řídicí signál, nízké napětí baterie a velký zatěžovací proud. Kanál N je vybaven interní ochranou proti elektrostatickému výboji a lze jej řídit logickým signálem s nízkým napětím 1,5 V, zatímco kanál P-Channel je navržen pro použití v aplikacích přepínání zatížení. Kanál P byl také navržen s využitím technologie polovičního zákopu.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,118
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 0,118
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Spínač zátěže N+P
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+8 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Breite
1.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální, N/P-Channel MOSFET, ON on Semiconductor
NTJD1155L je dvoukanálový MOSFET. Tento MOSFET, který je vybaven kanály P i N do jednoho balení, je oslnivý pro nízký řídicí signál, nízké napětí baterie a velký zatěžovací proud. Kanál N je vybaven interní ochranou proti elektrostatickému výboji a lze jej řídit logickým signálem s nízkým napětím 1,5 V, zatímco kanál P-Channel je navržen pro použití v aplikacích přepínání zatížení. Kanál P byl také navržen s využitím technologie polovičního zákopu.