Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
350 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,20
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
€ 0,20
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
10 - 240 | € 0,20 | € 2,00 |
250+ | € 0,17 | € 1,70 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
350 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku