MOSFET NTR4503NT1G N-kanálový 2.5 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
730 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,9 nC při 4,5 V, 3,6 nC při 10 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,284
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 0,284
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,284 | € 7,11 |
| 100 - 225 | € 0,245 | € 6,12 |
| 250 - 475 | € 0,212 | € 5,31 |
| 500 - 975 | € 0,187 | € 4,67 |
| 1000+ | € 0,17 | € 4,25 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
730 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,9 nC při 4,5 V, 3,6 nC při 10 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products