Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
68 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
WDFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
107 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,6 nC při 10 V
Breite
3.15mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
0.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Malaysia
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,72
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
€ 0,72
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
68 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
WDFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
107 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,6 nC při 10 V
Breite
3.15mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
0.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Malaysia