Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
5 A dc
Kollektor-Emitter-
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
200
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V dc
Höhe
15.75mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
80 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.53mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
5 A dc
Kollektor-Emitter-
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
200
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V dc
Höhe
15.75mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
80 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.53mm
Krajina pôvodu
China