MOSFET VEC2315-TL-W P-kanálový 2,5 A 60 V, SOT-28FL, VEC8, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-28FL, VEC8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
194 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
2.3mm
Länge
2.9mm
Počet prvků na čip
2
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.73mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-28FL, VEC8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
194 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
2.3mm
Länge
2.9mm
Počet prvků na čip
2
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.73mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products