Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
125 V
Gehäusegröße
ISOTOP
Montage-Typ
Panel Mount
Maximální ztrátový výkon
250 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
200 V
Maximální bázové napětí emitoru
7 V
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
9.1 x 38.2 x 25.5mm
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
P.O.A.
Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
P.O.A.
Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
125 V
Gehäusegröße
ISOTOP
Montage-Typ
Panel Mount
Maximální ztrátový výkon
250 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
200 V
Maximální bázové napětí emitoru
7 V
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
9.1 x 38.2 x 25.5mm
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.