Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
85 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-18 V, +18 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.2mm
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.4mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1 107,00
€ 0,443 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 107,00
€ 0,443 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
85 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-18 V, +18 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.2mm
Länge
6.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.4mm
Podrobnosti o výrobku