řada: MDmesh K5, SuperMESH5MOSFET STL4N80K5 N-kanálový 2,5 A 800 V, PowerFLAT 5 x 6, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Řada
MDmesh K5, SuperMESH5
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
38 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
6.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,5 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5.4mm
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2 596,95
€ 0,866 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 2 596,95
€ 0,866 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Gehäusegröße
PowerFLAT 5 x 6
Řada
MDmesh K5, SuperMESH5
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
38 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
6.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,5 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5.4mm
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products