řada: MDmesh DM2MOSFET STW48N60DM2 N-kanálový 40 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
79 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,99
€ 4,99 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 4,99
€ 4,99 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
79 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products