Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
55 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 4,5 V
Breite
5.8mm
Propustné napětí diody
1V
Höhe
2.3mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,195
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,195
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
55 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 4,5 V
Breite
5.8mm
Propustné napětí diody
1V
Höhe
2.3mm