řada: NexFETMOSFET CSD17303Q5 N-kanálový 100 A 30 V, SON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 827-4820Značka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: CSD17303Q5
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.6V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.9V

Maximální ztrátový výkon

3.2 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +10 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18 nC při 4,5 V

Breite

5.1mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.05mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET CSD17303Q5 N-kanálový 100 A 30 V, SON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

řada: NexFETMOSFET CSD17303Q5 N-kanálový 100 A 30 V, SON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.6V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.9V

Maximální ztrátový výkon

3.2 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +10 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18 nC při 4,5 V

Breite

5.1mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

NexFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.05mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more