Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
0.64mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,01 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.04mm
Höhe
0.35mm
Řada
FemtoFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
20
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
0.64mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,01 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.04mm
Höhe
0.35mm
Řada
FemtoFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku