řada: FemtoFETMOSFET CSD17483F4T N-kanálový 1,5 A 30 V, PICOSTAR, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 823-9243PZnačka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: CSD17483F4T
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PICOSTAR

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

550 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.65V

Maximální ztrátový výkon

500 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Breite

0.64mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,01 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

1.04mm

Höhe

0.35mm

Řada

FemtoFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: FemtoFETMOSFET CSD17483F4T N-kanálový 1,5 A 30 V, PICOSTAR, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

řada: FemtoFETMOSFET CSD17483F4T N-kanálový 1,5 A 30 V, PICOSTAR, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PICOSTAR

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

550 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.65V

Maximální ztrátový výkon

500 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Breite

0.64mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,01 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

1.04mm

Höhe

0.35mm

Řada

FemtoFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more