řada: DTMOSIVMOSFET TK14G65W,RQ(S N-kanálový 13,7 A 650 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
8.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 10 V
Höhe
4.46mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 10,24
€ 2,048 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 10,24
€ 2,048 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,048 | € 10,24 |
| 25 - 45 | € 1,778 | € 8,89 |
| 50 - 245 | € 1,696 | € 8,48 |
| 250 - 495 | € 1,628 | € 8,14 |
| 500+ | € 1,594 | € 7,97 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
8.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 10 V
Höhe
4.46mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products