Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Režim kanálu
Vylepšení
Typ kanálu
N
Materiál tranzistoru
Si
Pinanzahl
3
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Propustné napětí diody
1.2V
Montage-Typ
Through Hole
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Řada
U-MOSVIII-H
Breite
4.45mm
Gehäusegröße
TO-220AB
Länge
10.16mm
Maximální ztrátový výkon
168 W
Höhe
15.1mm
Maximální stejnosměrný odběrový proud
112 A
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Brand
ToshibaTypický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
69 nC při 10 V
Podrobnosti o výrobku
11mm, 3.5 Digit Display
LCD 4 to 20mA Current Loop Powered Meters
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Režim kanálu
Vylepšení
Typ kanálu
N
Materiál tranzistoru
Si
Pinanzahl
3
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Propustné napětí diody
1.2V
Montage-Typ
Through Hole
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Řada
U-MOSVIII-H
Breite
4.45mm
Gehäusegröße
TO-220AB
Länge
10.16mm
Maximální ztrátový výkon
168 W
Höhe
15.1mm
Maximální stejnosměrný odběrový proud
112 A
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Brand
ToshibaTypický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
69 nC při 10 V
Podrobnosti o výrobku