P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3

Skladové číslo RS: 178-3717Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQJ415EP-T1_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8 l

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

45 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Breite

5mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

63 nC při 10 V

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1 059,11

€ 0,353 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3

€ 1 059,11

€ 0,353 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8 l

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

20 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

45 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Breite

5mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

63 nC při 10 V

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more