N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK Vishay Siliconix SQM40016EM_GE3

Skladové číslo RS: 178-3723Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQM40016EM_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay Siliconix

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

250 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

7

Maximální odpor kolektor/zdroj

1 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Breite

4.83mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

163 nC při 10 V

Höhe

11.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1 115,50

€ 1,394 Each (On a Reel of 800) (bez DPH)

N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK Vishay Siliconix SQM40016EM_GE3

800

Dostupné v násobkoch 800
800€ 1 115,50
1600€ 2 231,00
2400€ 3 346,50
3200€ 4 462,00
4000€ 5 577,50
4800€ 6 693,00
5600€ 7 808,50
6400€ 8 924,00
7200€ 10 039,50
8000€ 11 155,00
8800€ 12 270,50
9600€ 13 386,00
10400€ 14 501,50
11200€ 15 617,00
12000€ 16 732,50

€ 1 115,50

€ 1,394 Each (On a Reel of 800) (bez DPH)

N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK Vishay Siliconix SQM40016EM_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

800

Dostupné v násobkoch 800
800€ 1 115,50
1600€ 2 231,00
2400€ 3 346,50
3200€ 4 462,00
4000€ 5 577,50
4800€ 6 693,00
5600€ 7 808,50
6400€ 8 924,00
7200€ 10 039,50
8000€ 11 155,00
8800€ 12 270,50
9600€ 13 386,00
10400€ 14 501,50
11200€ 15 617,00
12000€ 16 732,50

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay Siliconix

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

250 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

7

Maximální odpor kolektor/zdroj

1 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Breite

4.83mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

163 nC při 10 V

Höhe

11.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more