Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
88 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.41mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.01mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,47
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
€ 1,47
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,47 | € 7,35 |
50 - 120 | € 1,25 | € 6,25 |
125 - 245 | € 1,17 | € 5,85 |
250 - 495 | € 1,10 | € 5,50 |
500+ | € 1,03 | € 5,15 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
88 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.41mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.01mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku