Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Materiál tranzistoru
Si
Breite
6.22mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,19
Each (bez DPH)
1
€ 2,19
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 2,19 |
10 - 49 | € 1,86 |
50 - 99 | € 1,75 |
100 - 249 | € 1,65 |
250+ | € 1,54 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Materiál tranzistoru
Si
Breite
6.22mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Podrobnosti o výrobku