MOSFET SI1012CR-T1-GE3 N-kanálový 630 mA 20 V, SC-75, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
630 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
240 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
0.86mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,3 nC při 8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
1.68mm
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 21,00
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 21,00
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,105 | € 2,10 |
| 500 - 980 | € 0,094 | € 1,87 |
| 1000 - 1980 | € 0,082 | € 1,63 |
| 2000+ | € 0,08 | € 1,60 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
630 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
240 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
0.86mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,3 nC při 8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
1.68mm
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products