Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
ThunderFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
31 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
5,7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,6 nC při 10 V
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový MOSFET, střední napětí/ThunderFET®, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,22
€ 0,844 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 4,22
€ 0,844 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,844 | € 4,22 |
50 - 245 | € 0,716 | € 3,58 |
250 - 495 | € 0,592 | € 2,96 |
500 - 1245 | € 0,556 | € 2,78 |
1250+ | € 0,524 | € 2,62 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
ThunderFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
31 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
5,7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,6 nC při 10 V
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku