Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
49 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
4,2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,59
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 0,59
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,59 | € 11,80 |
100 - 180 | € 0,47 | € 9,40 |
200 - 480 | € 0,44 | € 8,80 |
500 - 980 | € 0,42 | € 8,40 |
1000+ | € 0,40 | € 8,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
49 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
4,2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku