Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1,56 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,5 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,73
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 1,73
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,73 | € 8,65 |
50 - 120 | € 1,63 | € 8,15 |
125 - 245 | € 1,47 | € 7,35 |
250 - 495 | € 1,38 | € 6,90 |
500+ | € 1,30 | € 6,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1,56 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,5 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Podrobnosti o výrobku