MOSFET SI7121DN-T1-GE3 P-kanálový 9,6 A 30 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
26 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
27,8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
3.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 10,51
€ 1,051 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 10,51
€ 1,051 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,051 | € 10,51 |
| 100 - 240 | € 0,84 | € 8,40 |
| 250 - 490 | € 0,652 | € 6,52 |
| 500 - 990 | € 0,577 | € 5,77 |
| 1000+ | € 0,493 | € 4,93 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
26 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
27,8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
3.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products