Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
E
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.391 Ω
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2 → 4V
Počet prvků na čip
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1,601
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
řada: EMOSFET SIHB11N80AE-GE3 N-kanálový 8 A 800 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3
50
€ 1,601
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
řada: EMOSFET SIHB11N80AE-GE3 N-kanálový 8 A 800 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,601 | € 80,04 |
100 - 200 | € 1,521 | € 76,04 |
250+ | € 1,441 | € 72,04 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
E
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.391 Ω
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2 → 4V
Počet prvků na čip
1