MOSFET DMN2300UFB4-7B N-kanálový 1.3 A 20 V, X2-DFN1006, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 770-5128Značka: DiodesZetexČíslo dielu výrobcu: DMN2300UFB4-7B
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

X2-DFN1006

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

500 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.95V

Maximální ztrátový výkon

500 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

0.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

1.05mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,6 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.35mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 7,39

€ 0,148 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

MOSFET DMN2300UFB4-7B N-kanálový 1.3 A 20 V, X2-DFN1006, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 7,39

€ 0,148 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)

MOSFET DMN2300UFB4-7B N-kanálový 1.3 A 20 V, X2-DFN1006, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

X2-DFN1006

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

500 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.95V

Maximální ztrátový výkon

500 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

0.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

1.05mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,6 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.35mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more