Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
DMP
Gehäusegröße
DI5060
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±25 V
Länge
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Breite
6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64,2 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 793,80
€ 0,318 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 793,80
€ 0,318 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
DMP
Gehäusegröße
DI5060
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±25 V
Länge
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Breite
6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64,2 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku