Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
95 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3.05mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,6 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 2,89
€ 0,289 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 2,89
€ 0,289 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
95 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
3.05mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,6 nC při 10 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


