IGBT modul 2MBi200VA-060-50 N-kanálový 200 A 600 V, M263, počet kolíků: 7 Sériové zapojení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricMaximální stejnosměrný proud kolektoru
200 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
650 W
Konfigurace
Řada
Gehäusegröße
M263
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
7
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
94 x 34 x 30mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly 2-Pack, Fuji Electric
Řada V, externí zastavení 6. Generace
Řada U/U4, Field-Stop 5. Generace
Řada S, 4. Generace NPT
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Fuji ElectricMaximální stejnosměrný proud kolektoru
200 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
650 W
Konfigurace
Řada
Gehäusegröße
M263
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
7
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
94 x 34 x 30mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT moduly 2-Pack, Fuji Electric
Řada V, externí zastavení 6. Generace
Řada U/U4, Field-Stop 5. Generace
Řada S, 4. Generace NPT
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products