řada: OptiMOS™MOSFET 2N7002DWH6327XTSA1 N-kanálový 300 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Řada
OptiMOS™
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,4 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Breite
1.25mm
Länge
2mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 154,80
€ 0,052 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 154,80
€ 0,052 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,052 | € 154,80 |
| 6000 - 12000 | € 0,049 | € 147,06 |
| 15000+ | € 0,047 | € 140,87 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Řada
OptiMOS™
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,4 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Breite
1.25mm
Länge
2mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products