řada: OptiMOS™ 5MOSFET BSC009NE2LS5ATMA1 N-kanálový 223 A 25 V, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
223 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Řada
OptiMOS™ 5
Gehäusegröße
SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.25 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+16 V
Breite
6.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.49mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
43 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 10,92
€ 2,184 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 10,92
€ 2,184 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
223 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Řada
OptiMOS™ 5
Gehäusegröße
SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.25 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+16 V
Breite
6.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.49mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
43 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products