Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
44 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Gehäusegröße
PG-HSOF-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 15 022,07
€ 7,511 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1MOSFET IMT65R057M1HXUMA1 N-kanálový 44 A 650 V, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 SiC
2000
€ 15 022,07
€ 7,511 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1MOSFET IMT65R057M1HXUMA1 N-kanálový 44 A 650 V, PG-HSOF-8, počet kolíků: 8 SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
44 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Gehäusegröße
PG-HSOF-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
SiC