řada: HEXFETMOSFET IRFML8244TRPBF N-kanálový 5.8 A 25 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 737-7219Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRFML8244TRPBFDistrelec Article No.: 30284046
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

41 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.35V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.35V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

5,4 nC při 10 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový napájecí MOSFET 12 V až 25 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 3,90

€ 0,195 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFML8244TRPBF N-kanálový 5.8 A 25 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 20.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 20.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 3,90
40€ 7,80
60€ 11,70
80€ 15,60
100€ 19,50
120€ 23,40
140€ 27,30
160€ 31,20
180€ 35,10
200€ 39,00
220€ 42,90
240€ 46,80
260€ 50,70
280€ 54,60
300€ 58,50

€ 3,90

€ 0,195 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFML8244TRPBF N-kanálový 5.8 A 25 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 20.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 20.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 3,90
40€ 7,80
60€ 11,70
80€ 15,60
100€ 19,50
120€ 23,40
140€ 27,30
160€ 31,20
180€ 35,10
200€ 39,00
220€ 42,90
240€ 46,80
260€ 50,70
280€ 54,60
300€ 58,50

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

41 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.35V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.35V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

5,4 nC při 10 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový napájecí MOSFET 12 V až 25 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more