Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
214 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
123 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 2,48
€ 2,48 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 2,48
€ 2,48 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 2,48 |
10 - 24 | € 2,35 |
25 - 49 | € 2,26 |
50 - 99 | € 2,16 |
100+ | € 1,98 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
214 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
123 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.