Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: HEXFETMOSFET IRFP250NPBF N-kanálový 30 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 541-0042Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRFP250NPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Gehäusegröße

TO-247AC

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

75 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

214 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

15.9mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

123 nC při 10 V

Breite

5.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

20.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,48

€ 2,48 Each (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFP250NPBF N-kanálový 30 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 2,48

€ 2,48 Each (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFP250NPBF N-kanálový 30 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cena
1 - 9€ 2,48
10 - 24€ 2,35
25 - 49€ 2,26
50 - 99€ 2,16
100+€ 1,98

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Gehäusegröße

TO-247AC

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

75 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

214 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

15.9mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

123 nC při 10 V

Breite

5.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

20.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more