Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
214 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
123 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.3mm
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 49,30
€ 1,972 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
€ 49,30
€ 1,972 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
25 - 25 | € 1,972 | € 49,30 |
50 - 100 | € 1,874 | € 46,84 |
125 - 225 | € 1,795 | € 44,87 |
250 - 600 | € 1,716 | € 42,90 |
625+ | € 1,598 | € 39,94 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
214 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
123 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.3mm
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.