Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: HEXFETMOSFET IRLB8314PBF N-kanálový 171 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3

Skladové číslo RS: 168-6028Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRLB8314PBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

171 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

40 nC při 4,5 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

4.83mm

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1V

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 37,35

€ 0,747 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLB8314PBF N-kanálový 171 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3

€ 37,35

€ 0,747 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLB8314PBF N-kanálový 171 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaTuba
50 - 50€ 0,747€ 37,35
100 - 200€ 0,583€ 29,14
250 - 450€ 0,56€ 28,01
500 - 1200€ 0,53€ 26,52
1250+€ 0,471€ 23,54

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

171 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

40 nC při 4,5 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

4.83mm

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1V

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať