řada: HiperFETMOSFET IXFN24N100 N-kanálový 24 A 1000 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
HiperFET
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
390 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Maximální ztrátový výkon
568 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
25.42mm
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
267 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 485,50
€ 48,55 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
€ 485,50
€ 48,55 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Řada
HiperFET
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
390 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Maximální ztrátový výkon
568 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
25.42mm
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
267 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products