MOSFET TP2104N3-G P-kanálový 175 mA 40 V, TO-92, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
175 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
740 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.06mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.08mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
5.33mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET Supertex P-Channel Enhancement Mode
Řada Supertex v režimu vylepšení kanálu P (normálně vypnuto) tranzistory DMOS FET od společnosti Microchip je vhodná pro široký rozsah spínacích a zesilovacích aplikací vyžadujících nízké prahové napětí, vysoké poruchové napětí, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké přepínací rychlosti.
MOSFET Transistors, Microchip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 55,76
€ 0,558 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
100
€ 55,76
€ 0,558 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
175 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
740 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.06mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.08mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
5.33mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET Supertex P-Channel Enhancement Mode
Řada Supertex v režimu vylepšení kanálu P (normálně vypnuto) tranzistory DMOS FET od společnosti Microchip je vhodná pro široký rozsah spínacích a zesilovacích aplikací vyžadujících nízké prahové napětí, vysoké poruchové napětí, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké přepínací rychlosti.
MOSFET Transistors, Microchip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products