Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
76 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.47V
Maximální ztrátový výkon
1,92 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,6 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 15,42
€ 0,308 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 15,42
€ 0,308 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 550 | € 0,308 | € 15,42 |
600 - 1450 | € 0,166 | € 8,29 |
1500+ | € 0,139 | € 6,96 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
76 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.47V
Maximální ztrátový výkon
1,92 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,6 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku