MOSFET PSMN1R2-30YLC,115 N-kanálový 100 A 30 V, LFPAK, SOT-669, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.95V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.05V
Maximální ztrátový výkon
215 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
78 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.1mm
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,20
€ 1,44 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,20
€ 1,44 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.95V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.05V
Maximální ztrátový výkon
215 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
78 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.1mm
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products